在半導(dǎo)體封裝工藝中，金線鍵合（Gold Wire Bonding）和銅線鍵合（Copper Wire Bonding）是芯片與封裝基板電氣互連的關(guān)鍵技術(shù)。鍵合強(qiáng)度直接影響器件的機(jī)械穩(wěn)定性和長期可靠性，若鍵合質(zhì)量不達(dá)標(biāo)，可能導(dǎo)致脫焊、線頸斷裂等問題，甚至引發(fā)整機(jī)失效。

如何精準(zhǔn)評(píng)估鍵合強(qiáng)度？推拉力測試機(jī)（Bond Tester）是目前行業(yè)工認(rèn)的檢測手段，可模擬實(shí)際工況下的機(jī)械應(yīng)力，量化鍵合界面的結(jié)合力。本文科準(zhǔn)測控小編將系統(tǒng)介紹推拉力測試的原理、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、Alpha W260的關(guān)鍵技術(shù)及標(biāo)準(zhǔn)化測試流程，幫助封裝工程師掌握精準(zhǔn)評(píng)估鍵合強(qiáng)度的方法。

一、推拉力測試的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（JEDEC/MIL-STD/SEMI）

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，鍵合強(qiáng)度的評(píng)估需遵循嚴(yán)格的國際標(biāo)準(zhǔn)，以確保測試數(shù)據(jù)的可比性和可靠性。主要標(biāo)準(zhǔn)包括：

1、JEDEC JESD22-B116

適用于金線、銅線鍵合的剪切力（Shear Test）和拉力測試（Pull Test）。

規(guī)定最小鍵合強(qiáng)度要求：金線≥3gf/mil，銅線≥4-5gf/mil（視線徑而定）。

測試速度：100-500μm/s，避免動(dòng)態(tài)沖擊影響數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。

2、MIL-STD-883 Method 2011.7

jun用及高可靠性器件的鍵合強(qiáng)度測試規(guī)范。

要求高溫老化（如125℃/1000h）后鍵合強(qiáng)度衰減率≤15%。

3、SEMI G86（針對(duì)先進(jìn)封裝）

適用于微間距鍵合（<50μm）和低弧度鍵合（Low Loop Bonding）。

引入非破壞性測試（NDT）方法，減少樣品損耗。

二、推拉力測試機(jī)的工作原理（剪切力/拉力模式）

Alpha W260采用高精度力學(xué)傳感器和智能控制算法，提供兩種核心測試模式：

1. 剪切力測試（Shear Test）

測試對(duì)象：評(píng)估鍵合球（Ball Bond）與芯片焊盤（Pad）的結(jié)合強(qiáng)度。

測試方式：

使用鎢鋼探針（直徑50-200μm）水平推動(dòng)鍵合球，記錄剪切力峰值。

傳感器分辨率達(dá)0.001gf，確保微小鍵合點(diǎn)的精準(zhǔn)測量。

典型失效模式：

脫焊（Lift-off）：鍵合球與焊盤wan全分離，表明界面結(jié)合不良。

焊盤剝離（Pad Cratering）：焊盤下方金屬層斷裂，通常與材料脆性有關(guān)。

2. 拉力測試（Pull Test）

測試對(duì)象：評(píng)估鍵合線（Wire）的拉伸強(qiáng)度及斷裂位置。

測試方式：

采用微型鉤爪垂直拉伸鍵合線，記錄斷裂力及斷裂位置（線頸/根部）。

支持動(dòng)態(tài)力-位移曲線分析，識(shí)別材料延展性差異。

典型失效模式：

線頸斷裂（Neck Break）：斷裂點(diǎn)位于鍵合球上方，通常與線材強(qiáng)度相關(guān)。

根部斷裂（Heel Break）：斷裂發(fā)生在鍵合點(diǎn)根部，多因鍵合工具磨損導(dǎo)致。

三、常用檢測設(shè)備

1、Alpha W260推拉力測試儀

A、設(shè)備介紹

Alpha-W260自動(dòng)推拉力測試機(jī)用于為微電子引線鍵合后引線焊接強(qiáng)度測試、焊點(diǎn)與基板表面粘接力測試及其失效分析領(lǐng)域的專用動(dòng)態(tài)測試儀器，常見的測試有晶片推力、金球推力、金線拉力等，采用高速力值采集系統(tǒng)。根據(jù)測試需要更換相對(duì)應(yīng)的測試模組,系統(tǒng)自動(dòng)識(shí)別模組，并自由切換量程。

B、推刀或鉤針

C、常用工裝夾具

四、標(biāo)準(zhǔn)化測試流程（以Alpha W260為例）

步驟一、設(shè)備校準(zhǔn)

力傳感器校準(zhǔn)（NIST標(biāo)準(zhǔn)砝碼，五點(diǎn)校準(zhǔn)）。

光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)（USAF-1951分辨率靶標(biāo)）。

步驟二、樣品測試

裝樣：真空吸附固定封裝樣品。

定位：自動(dòng)識(shí)別鍵合點(diǎn)，確保探針精準(zhǔn)接觸。

測試：

剪切模式：水平推動(dòng)鍵合球，記錄峰值剪切力。

拉力模式：垂直拉伸鍵合線，分析斷裂模式。

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)：保存力-位移曲線，支持JMP格式導(dǎo)出。

步驟三、數(shù)據(jù)分析

統(tǒng)計(jì)過程控制（SPC）：計(jì)算Cp/Cpk，評(píng)估工藝穩(wěn)定性。

失效分析：自動(dòng)分類失效模式（脫焊/線頸斷裂/焊盤剝離）。

五、案例：某封裝廠優(yōu)化鍵合工藝

問題：某QFN封裝產(chǎn)品銅線鍵合強(qiáng)度CV值>18%，超出管控標(biāo)準(zhǔn)（<10%）。

解決方案：

使用Alpha W260推拉力測試儀進(jìn)行Mapping Test，發(fā)現(xiàn)邊緣區(qū)域鍵合強(qiáng)度偏低。

通過DOE實(shí)驗(yàn)優(yōu)化參數(shù)（超聲功率80mW、鍵合溫度205℃、作用時(shí)間22ms）。

優(yōu)化后，鍵合強(qiáng)度均值提升33%（4.2gf→5.6gf），CV值降至6.8%。

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